离子注入后，衬底表面的杂质浓度最大。这是因为离子注入过程中，高能离子束垂直射入半导体材料，并在接近表面区域集中沉积，形成较高的杂质浓度。

1. 离子注入的原理

离子注入是一种通过高能离子束将特定杂质引入半导体材料的技术。注入过程中，离子与晶格原子发生碰撞，逐渐失去能量并停留在晶体内。由于注入过程主要发生在衬底表面，因此杂质浓度在表面区域最高。

2. 杂质浓度分布特点

注入杂质的浓度分布通常呈高斯分布，表面浓度最高，随着深度的增加逐渐降低。这种分布特性使得表面区域成为杂质浓度最大的区域。

3. 表面浓度的重要性

表面杂质浓度对半导体器件的性能有重要影响。例如，在MOS晶体管中，表面杂质浓度直接影响栅极的阈值电压。通过精确控制表面杂质浓度，可以优化器件的性能。

总结

离子注入后，衬底表面的杂质浓度最大，这一特性在半导体器件制造中具有重要意义。通过精确控制表面杂质浓度，可以显著提升器件的性能和可靠性。