杂质半导体中多子数量主要与 掺杂浓度 有关，而少数子数量则与 温度 密切相关。具体分析如下：

1. 多子数量的影响因素

   • 掺杂浓度 ：多子（如电子或空穴）的数量直接取决于掺杂浓度。在N型半导体中，掺入三价杂质（如磷、砷）会增加自由电子的数量；在P型半导体中，掺入五价杂质（如硼、铝）会增加空穴的数量。

2. 少数子数量的影响因素

   • 温度 ：少数子（与多子数量相反的载流子）的数量随温度升高而显著增加。这是因为温度升高会提供更多能量，使价带电子跃迁到导带，形成更多的少数子。

3. 其他影响因素的局限性

   • 虽然温度对多子数量有一定影响（如电子热激发），但这种影响通常较小，主要作用还是体现在少数子数量的增加上。掺杂浓度和温度是决定多子数量的核心因素，而体积、湿度等外部条件影响有限。

总结 ：多子数量由掺杂浓度主导，少数子数量随温度升高而增加。这一规律在半导体器件设计和应用中具有关键意义。