‌在本征半导体中，自由电子和空穴的数量是相等的‌，这是由其‌纯净的晶体结构‌和‌热激发机制‌决定的。本征半导体的导电性依赖于电子-空穴对的生成，而两者的浓度始终维持动态平衡。

1. ‌纯净晶体结构‌
   本征半导体（如硅、锗）的原子通过共价键形成完美晶格，每个价电子均被束缚在键中。此时材料中几乎没有自由载流子，呈现高电阻特性。

2. ‌热激发产生电子-空穴对‌
   温度升高时，部分价电子获得能量挣脱共价键，形成自由电子，同时留下带正电的空穴。这一过程称为‌本征激发‌，电子和空穴总是成对出现，数量严格相等。

3. ‌动态平衡的载流子浓度‌
   自由电子可能回落填补空穴（复合），而热激发会持续生成新电子-空穴对。在恒定温度下，‌生成率=复合率‌，使得电子和空穴的浓度（本征载流子浓度ni）保持恒定。

‌总结‌：本征半导体的导电特性依赖于电子与空穴的对称性，任何外界干扰（如掺杂或光照）都会打破这一平衡，这也是半导体器件设计的物理基础。