在半导体物理中，‌迁移率p（空穴迁移率）通常小于迁移率n（电子迁移率）‌，但在特定条件下（如材料、掺杂或应力调控），‌p型迁移率可能超过n型迁移率‌。以下是关键分析：

1. ‌材料特性差异‌
   硅（Si）等传统半导体中，电子有效质量低于空穴，导致n型迁移率更高。但某些化合物半导体（如锑化铟InSb）的空穴有效质量更小，可能实现p>n的迁移率。

2. ‌应力与晶格调控‌
   通过应变工程（如对硅锗SiGe施加压应力），可改变能带结构，降低空穴有效质量，显著提升p型迁移率，甚至超越n型。

3. ‌低维材料突破‌
   二维材料（如黑磷）或量子阱结构中，空穴在特定方向上的迁移率可能因各向异性而优于电子，尤其在优化界面缺陷后。

4. ‌掺杂与温度影响‌
   高浓度掺杂或低温环境下，电子散射效应增强，可能使n型迁移率下降更快，而空穴迁移率相对稳定，形成p>n的局部条件。

常规半导体中p型迁移率较低，但通过材料选择、结构设计或外部调控，可突破这一限制。这一特性对高性能互补电路（CMOS）和新型器件开发具有重要意义。