半导体中的少子是指在特定类型半导体中占少数且对导电起次要作用的载流子。具体说明如下：

1. 定义与分类

   少子与多数载流子相对，取决于半导体类型：

   • N型半导体 ：电子是多数载流子，空穴是少数载流子；

   • P型半导体 ：空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

2. 形成机制

   少子由杂质原子或分子电离产生：

   • 掺杂型半导体中，杂质原子会替代本征半导体中的原子，形成空穴（如P型掺杂）或电子（如N型掺杂）；

   • 本征激发（热能导致电子跃迁）也会产生少量空穴或电子，但数量较少。

3. 数量影响因素

   • N型半导体 ：少子（空穴）浓度主要受掺杂浓度影响，温度对其影响较小；

   • P型半导体 ：少子（空穴）浓度主要由本征激发决定，温度升高会显著增加其数量。

4. 导电作用

   少子通过复合或迁移参与导电，但主导作用由多数载流子承担。例如，在N型半导体中，电子是主要导电载流子，空穴仅起次要作用。

总结 ：少子是半导体中占少数且对导电起次要作用的载流子，其具体类型和数量取决于半导体类型及外部条件（如掺杂浓度、温度）。