杂质在半导体中的主要作用可归纳为以下四点,涵盖载流子提供、电学性能调控及材料特性优化:
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提供载流子
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施主杂质 (如五价元素磷、砷):在禁带中形成浅能级,多余电子易跃迁至导带,成为自由电子,增加电子浓度。
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受主杂质 (如三价元素硼、铝):在禁带中形成浅能级,价带电子易跃迁填补空位,形成空穴载流子,增加空穴浓度。
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调控电学性能
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通过改变载流子浓度(轻掺杂或重掺杂)调整电阻率,实现从绝缘体到导体的转变,或优化单向导电性。
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深能级杂质(如金属元素)主要影响少数载流子复合速率,间接调控电导。
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优化材料特性
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电阻率 :浅能级杂质显著降低电阻,深能级杂质影响少数载流子复合。
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载流子迁移率 :杂质能级位置影响载流子运动速度,进而影响器件效率。
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其他特性 :如热稳定性、绝缘强度等,可通过杂质种类和浓度进行优化。
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形成杂质半导体
- 本征半导体通过掺杂(微量杂质)形成N型或P型半导体,实现从低导电性到接近金属导性的转变。