‌P型和N型半导体示意图展示了两种掺杂半导体材料的导电特性差异，核心区别在于‌多数载流子类型（空穴或电子）‌及‌PN结形成原理‌。‌

1. ‌P型半导体示意图特点‌

   • 掺杂元素为硼、铝等三价原子，形成‌空穴主导导电‌的结构。
   • 示意图中通常用“+”符号标注受主杂质，价带空穴浓度显著高于导带电子。
   • 电流方向与空穴移动方向一致，示意图箭头常指向负极。

2. ‌N型半导体示意图特点‌

   • 掺杂磷、砷等五价原子，‌自由电子为多数载流子‌。
   • 图中以“-”表示施主杂质，导带电子密度远高于价带空穴。
   • 电子流动方向与电流相反，示意图通常标注电子注入路径。

3. ‌PN结示意图的关键表现‌

   • P型与N型结合时，图示会突出‌耗尽层‌（无自由载流子的区域）。
   • 内建电场方向由N区指向P区，示意图常用箭头或电势差符号标注。
   • 外加正向电压时，图示显示耗尽层变窄；反向电压时耗尽层展宽。

理解示意图需结合载流子分布、电场方向及偏压影响，这是分析二极管、晶体管等器件的基础。