​​P型半导体本质上是通过掺杂三价元素（如硼）形成的空穴主导型半导体，其导电性主要依赖带正电的空穴运动，但空穴本身是价电子移动的等效概念而非实体粒子。​​

1. ​​空穴的形成机制​​：在纯净硅晶体中掺入三价元素后，杂质原子与硅形成共价键时缺少一个电子，产生可被邻近价电子填补的“空位”。这种空位的定向移动等效为带正电的空穴导电，实际仍是电子运动的反向表现。

2. ​​空穴的导电特性​​：P型半导体中空穴为多数载流子（多子），自由电子为少数载流子（少子）。外电场下，空穴沿电场方向移动形成电流，而电子反向运动，两者电流相加。

3. ​​电中性本质​​：尽管空穴浓度远高于自由电子，但杂质原子电离后固定的负电荷与空穴正电荷平衡，整体仍呈电中性。

4. ​​空穴的物理意义​​：空穴是量子力学中的准粒子概念，用于简化描述价带电子集体行为，其有效质量为正，电荷量与电子相反。

理解P型半导体的关键在于区分空穴的等效性与实际导电机制，这一原理支撑了二极管、晶体管等现代电子器件的设计。