​​N型半导体的多数载流子（多子）是自由电子，带负电​​。这类半导体通过掺杂五价元素（如磷、砷）形成，其导电性主要由电子主导，而空穴作为少数载流子（少子）对导电贡献较小。​​关键特性​​包括：电子浓度远高于空穴、电中性整体（正负电荷平衡）、温度稳定性强（多子受温度影响小）。

1. ​​掺杂原理​​：N型半导体在本征硅或锗中掺入五价元素（如磷），杂质原子提供“多余”电子成为自由电子，形成施主能级。这种设计显著提升导电性，且自由电子浓度与掺杂量正相关。
2. ​​多子特性​​：自由电子作为多子带负电，是电流的主要载体。尽管电子带负电，但半导体整体呈电中性，因固定正离子（施主离子）与自由电子电荷平衡。
3. ​​少子与温度关系​​：空穴作为少子由热激发产生，浓度随温度升高而增加，但远低于多子。少子对温度敏感，影响高温下器件稳定性。
4. ​​导电机制​​：外加电场下，自由电子定向移动形成电流。与P型半导体的空穴导电不同，N型半导体的导电更接近金属的电子传导，但载流子浓度可控。

N型半导体的特性使其广泛应用于二极管、晶体管等电子元件。理解其多子本质有助于优化器件设计，例如通过控制掺杂浓度调节导电性，或利用温度特性改善电路稳定性。