‌p型半导体通常掺杂Ⅲ族元素（如硼、铝、镓等）‌，这些元素在硅或锗晶体中作为受主杂质，通过提供空穴来形成导电性。以下是关键要点解析：

1. ‌掺杂原理‌
   p型半导体通过掺入Ⅲ族元素实现导电性提升。以硅为例，硼原子替代硅原子后，因外层仅有3个价电子，会形成1个空穴，吸引邻近电子填补，从而产生可移动的空穴载流子。

2. ‌常用掺杂元素‌

   • ‌硼（B）‌：最常用的p型掺杂剂，电离能低，室温下即可激活。
   • ‌铝（Al）‌：适用于高温工艺，但溶解度较低。
   • ‌镓（Ga）‌：用于特殊器件，如高频半导体元件。

3. ‌掺杂浓度控制‌
   导电性能与掺杂浓度直接相关。轻掺杂（10¹⁵~10¹⁷/cm³）用于高阻器件，重掺杂（10¹⁸/cm³以上）可降低接触电阻，常用于电极区域。

4. ‌应用场景‌
   p型半导体与n型结合构成PN结，是二极管、晶体管、太阳能电池的核心结构。例如，光伏电池中p型硅作为基底吸收空穴，提升光电转换效率。

‌提示‌：实际生产中需平衡掺杂均匀性与工艺成本，不同元素的选择直接影响器件性能与稳定性。