在半导体中，n型半导体的多子（多数载流子）是自由电子，其浓度主要由掺杂的五价元素（如磷）决定，导电性能随掺杂浓度升高而增强。以下是核心特性与原理的展开：

1. 多子来源与主导作用
   n型半导体通过掺入五价杂质（如磷、砷）引入多余电子，形成高浓度的自由电子。这些电子成为导电主力，远超过热激发产生的空穴浓度，因此自由电子被称为“多子”。

2. 掺杂浓度决定导电性
   多子浓度近似等于掺杂原子数量（如n0≈ND），杂质越多，自由电子浓度越高，导电能力越强。这一特性使n型半导体在集成电路中广泛用于高效电流传输。

3. 温度影响有限
   与少数载流子（空穴）不同，多子浓度受温度变化影响较小，主要依赖稳定的掺杂水平，确保了器件在常温下的性能稳定性。

4. 电中性平衡
   尽管自由电子占主导，n型半导体整体仍呈电中性，因为杂质原子提供的正电荷与电子负电荷相互抵消。

理解n型半导体的多子特性，有助于优化电子器件设计，例如晶体管和太阳能电池，其高效导电与稳定性是现代半导体技术的基石。