​​在本征半导体中掺入三价元素（如硼、铝等）会形成P型半导体，其核心机制是引入空穴作为多数载流子，显著提升导电能力。​​ 三价元素因价电子比硅少一个，与周围硅原子形成共价键时会产生空位，这些空位极易俘获电子形成空穴，从而主导导电过程。​​掺杂浓度即使仅为百万分之一，也能使空穴浓度增加百万倍​​，而自由电子则成为少数载流子。

三价元素被称为“受主杂质”，因其原子在晶格中接受电子后带负电，但固定于晶格中不参与导电。P型半导体的空穴浓度主要由掺杂决定，而自由电子仍由热激发产生，两者浓度差异巨大。例如，室温下硅的本征载流子浓度仅为$10^{10}/{\text{cm}}^3$，而掺入百万分之一的三价元素后，空穴浓度可达$10^{16}/{\text{cm}}^3$。这种可控的掺杂特性是制造二极管、晶体管等器件的物理基础。

实际应用中需注意两点：一是掺杂必须微量且均匀，避免破坏半导体晶体结构；二是温度对少子浓度影响显著，高温可能导致器件性能不稳定。通过精确控制三价元素的掺杂比例，可定制半导体的电学特性，满足不同电子元件的需求。理解这一原理，是掌握现代半导体技术的关键一步。