本征半导体的基本特征可归纳为以下四点，结合权威信息源整理如下：

1. 纯净无杂质

   本征半导体是纯净的、无杂质原子掺杂的晶体，仅由构成其基本结构的原子组成，具有高度有序的晶体结构。

2. 共价键结构

   以硅、锗为例，原子通过共价键形成稳定的三维晶格结构，每个原子与周围4个原子共享价电子，形成满8电子的稳定结构。这种共价键限制了电子的移动性。

3. 载流子浓度低

   在绝对零度时，本征半导体中自由电子和空穴浓度极低（电子浓度=空穴浓度），导电性接近绝缘体。温度升高或光照激发后，价电子可跃迁至导带形成自由电子-空穴对，但复合率较高。

4. 温度敏感性与带隙特性

   • 温度依赖性 ：温度升高，价电子热运动加剧，载流子浓度随指数增长，导电性显著提升。

   • 带隙决定导电性 ：硅的带隙约1.1eV，锗约0.67eV，直接带隙材料（如砷化镓）在光电器件中应用更优。

总结 ：本征半导体依赖外部能量激发载流子，需通过掺杂或光照实现实用化，其特性由晶体结构和材料参数共同决定。