本征半导体的结构特点可归纳为以下四点，结合权威信息源进行整合：

1. 共价键结构基础

   本征半导体以硅、锗等四价元素为主，原子通过共价键形成规则晶体结构。每个原子与4个相邻原子共享一对价电子，形成稳定的八电子外层结构，满足化学键合稳定性要求。

2. 价带与禁带特性

   在绝对零度时，价带完全填满，价电子被共价键严格束缚，无自由载流子，导电性接近绝缘体。价带与导带之间存在禁带（能带间隙），电子需吸收足够能量才能跃迁至导带。

3. 热激发产生载流子

   常温下，热激发使价带电子获得足够能量跃迁至导带，形成自由电子；同时价带留下空穴。电子与空穴在空间中随机运动，成为本征载流子，实现导电。

4. 电子-空穴对动态平衡

   电子与空穴的产生与复合速率随温度变化。温度升高时，载流子浓度增加，导电性增强；温度降低时，载流子浓度减少，导电性下降。这种动态平衡决定了本征半导体的温度依赖性。

总结 ：本征半导体通过共价键形成稳定晶体结构，依赖热激发产生自由电子-空穴对导电，其导电性受温度影响显著，是理想半导体模型的基础。