本征半导体的三种核心特征是​​纯净性​​、​​温度依赖性​​和​​载流子成对性​​。纯净性指其完全不含杂质且晶格结构完整；温度依赖性表现为导电性随温度升高而显著增强；载流子成对性则强调电子与空穴始终成对产生与复合的动态平衡。

1. ​​纯净性​​：本征半导体的原子排列高度规则，仅由单一元素（如硅、锗）构成，无外来杂质干扰。这种特性使其电学行为完全由材料本征激发决定，成为半导体器件的基础。

2. ​​温度依赖性​​：常温下导电性微弱，但温度升高时，热激发使更多电子挣脱共价键束缚，形成自由电子-空穴对，导电能力呈指数级提升。这一特性被广泛应用于热敏传感器。

3. ​​载流子成对性​​：电子与空穴浓度始终相等，且通过激发与复合维持动态平衡。载流子浓度公式$n_i=p_i=K_1{T}^{3/2}{e}^{-E_{GO}/(2kT)}$揭示了温度与载流子数量的定量关系。

本征半导体的这些特征不仅是理解杂质半导体与PN结的基础，也为光电器件和能源转换技术提供了关键理论支撑。实际应用中需注意其导电性受环境温度显著影响的特性。