半导体电阻随温度变化的关系主要取决于材料类型：‌导体电阻随温度升高而增大（正温度系数），而半导体电阻随温度升高而减小（负温度系数）‌。这种差异源于载流子浓度和迁移率在不同材料中的变化机制。

1. ‌导体的电阻-温度特性‌
   金属导体中，自由电子是主要载流子。温度升高时，晶格振动加剧，电子散射概率增加，导致迁移率下降，电阻呈线性增大。例如铜的电阻温度系数约为0.0039/℃。

2. ‌半导体的电阻-温度特性‌
   半导体电阻受两个因素共同影响：

   • ‌本征激发‌：温度升高使价带电子跃迁至导带，载流子（电子-空穴对）浓度指数级增加，导电性显著增强。
   • ‌迁移率变化‌：高温下晶格散射虽会降低迁移率，但载流子浓度上升起主导作用，总体表现为电阻减小。硅在室温附近的温度系数约为-0.07/℃。

3. ‌实际应用中的差异‌

   • 导体（如铂）常用于制作温度传感器（RTD），依赖其稳定的正温度系数。
   • 半导体（如热敏电阻）利用负温度系数实现高灵敏度测温，适用于电路保护或温度补偿。

理解这一特性对电子器件选型至关重要：高温环境下需谨慎选择导体线路以避免过热，而半导体器件则可通过自调节特性适应温度波动。