​​本征半导体是完全纯净的晶体材料，其导电性仅由热激发产生的电子-空穴对决定；而高度补偿半导体是同时掺杂施主和受主杂质，但两者浓度接近导致载流子被“抵消”，呈现类似本征半导体的高电阻特性​​。​​关键区别在于杂质类型、载流子来源及电阻率变化规律​​。

1. ​​杂质类型​​：本征半导体不含任何掺杂元素（如硅、锗的纯净单晶），而高度补偿半导体同时含有施主（如磷）和受主（如硼）杂质，且两者浓度相近（$N_D\approx N_A$）。
2. ​​载流子来源​​：本征半导体的电子和空穴仅由热激发产生，浓度相等（$n=p=n_i$）；高度补偿半导体的载流子由未被抵消的净杂质提供，但有效浓度极低（$n\approx |N_D-N_A|\ll n_i$）。
3. ​​电阻率表现​​：本征半导体的电阻率随温度升高单调下降（因热激发主导）；高度补偿半导体因杂质散射和电势起伏，电阻率远高于普通掺杂半导体，但温度稳定性较差。
4. ​​能带结构​​：高度补偿半导体因杂质浓度不均可能导致导带/价带边缘的局部起伏，形成载流子“液滴”；本征半导体的能带结构均匀且禁带宽度固定。

​​提示​​：实际应用中，可通过霍尔效应测量载流子类型和浓度，或结合低温电阻率测试区分两者——本征半导体在低温下电阻率趋近无穷大，而高度补偿半导体仍可能残留微量杂质电离的载流子。