中国自主研发的芯片已实现​​7纳米工艺的量产​​，并在车规级、AI等领域取得突破性应用，​​14纳米及28纳米等成熟制程技术​​则占据全球市场重要份额。尽管与国际顶尖的3纳米工艺仍存差距，但通过光刻机、材料等全产业链协同创新，中国正加速向更高制程迈进。

​​关键进展与技术亮点​​

1. ​​7纳米工艺突破​​：中芯国际于2024年实现7纳米芯片稳定量产，华为麒麟9000S芯片、芯擎科技车规级“龍鹰一号”等产品均采用该技术，晶体管密度达88亿个，性能对标国际一线产品。
2. ​​成熟制程优势​​：14纳米和28纳米工艺广泛应用于汽车电子、物联网等领域，国产化率持续提升，支撑全球70%以上的芯片需求。
3. ​​光刻技术突破​​：上海微电子28纳米DUV光刻机量产，配合多重曝光可支持11纳米制程；中科院EUV光源技术革新，为7纳米及以下工艺铺路。
4. ​​产业链协同​​：刻蚀机、薄膜沉积设备已支持7纳米及以下工艺，12英寸硅片、光刻胶等材料国产化率从2020年的15%提升至2025年的35%。

​​未来挑战与方向​​
中国芯片产业需攻克EUV光刻机等核心设备限制，同时通过Chiplet异构集成、量子芯片等新兴技术实现弯道超车。政策与资本的双重驱动下，5年内有望进一步缩小与国际领先水平的代际差距。

中国芯片技术的自主化进程，既是打破“卡脖子”困局的关键，也是全球半导体格局重塑的重要变量。