中国自主研发芯片的纳米制程已取得显著进展,目前主要突破点如下:
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7纳米芯片量产
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2024年,中国成功量产首款7纳米车规级S0S芯片,集成88亿颗晶体管,性能与台积电5纳米产品相当。
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华为麒麟9010芯片采用国产7纳米工艺,实现高良品率稳定生产。
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5纳米芯片突破
- 2024年,中芯国际等企业实现5纳米芯片量产,标志着中国高端芯片制造能力进入新阶段。
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历史进展回顾
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2018年:中芯国际量产14纳米芯片。
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2019年:华为麒麟980芯片采用7纳米工艺。
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2023年:部分企业宣称突破6纳米。
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总结 :当前中国芯片制造已实现7纳米量产,并向5纳米迈进,但高端制程仍面临国际技术封锁。