半导体芯片国产替代自主可控的核心在于突破关键技术、完善产业链生态、降低对外依赖，实现从设计到制造的全程自主化。 当前，国内已在28nm及以上成熟制程领域取得突破，部分企业具备7nm工艺研发能力，但高端光刻机、EDA工具等环节仍需攻坚。
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设计环节自主化
华为海思、紫光展锐等企业已具备5G基站芯片、手机SoC的设计能力，RISC-V架构为国产CPU提供新路径。但高端GPU、FPGA等芯片设计仍依赖海外IP授权，需加快自主指令集架构研发。 -
制造工艺突破
中芯国际量产14nm工艺，上海微电子28nm光刻机进入验证阶段。但EUV光刻机受海外封锁，需通过堆叠封装、Chiplet等技术绕过制程限制，提升成熟制程的性价比优势。 -
设备与材料配套
刻蚀机（中微公司）、薄膜设备（北方华创）已实现国产替代，但光刻胶、大硅片等材料进口占比仍超80%。需联合上下游企业加速验证高纯度材料，突破“卡脖子”环节。 -
生态协同与政策支持
国家大基金二期重点投资设备、材料领域，长三角、粤港澳等地形成产业集群。建议通过“揭榜挂帅”机制整合高校、企业资源，优先满足工业、汽车等对成熟芯片的需求。
国产替代需长期投入，短期可聚焦成熟制程的产能扩充与良率提升，同时通过异构集成、先进封装弥补高端短板，逐步构建安全可控的芯片供应链。
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