半导体材料的带隙一般在1-3 eV之间，典型代表如硅(Si)的带隙为1.11 eV。带隙大小直接影响半导体的导电性和光电性能，是半导体器件的核心参数之一。

1. 带隙的定义与作用
   带隙是价带顶到导带底的能量差，决定电子跃迁的难易程度。带隙较小时（如1-2 eV），电子易受热或光激发跃迁，表现为导电性增强；带隙过大则接近绝缘体特性。

2. 常见半导体的带隙范围

   • 硅(Si)：1.11 eV（间接带隙）
   • 砷化镓(GaAs)：1.43 eV（直接带隙）
   • 碳化硅(SiC)：2.3-3.3 eV（宽禁带半导体）
     不同材料因带隙差异适用于不同场景，如硅用于集成电路，GaAs用于高频器件。

3. 温度与带隙的关系
   温度升高时，带隙略微变窄（如硅每升温1℃，带隙减少约0.0003 eV），导致导电性增强。这一特性被广泛应用于温度传感器设计。

4. 测量方法
   通过紫外可见漫反射光谱（截线法）或Tauc plot法计算带隙，前者适用于快速估算，后者可区分直接/间接带隙类型。

半导体带隙的精准调控是现代电子技术的基础，从芯片到太阳能电池均依赖这一关键参数。