Si(硅)是间接带隙半导体,这一结论在权威资料中已明确提及。以下是具体分析:
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带隙类型确认
根据权威报告(如2025年碳化硅行业研究报告),Si属于间接带隙半导体,其电子跃迁需通过声子辅助,光利用率较低,适用于低压、低频、中功率场景。
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与直接带隙半导体的对比
直接带隙半导体(如GaAs、InGaN)的导带底和价带顶在k空间重合,电子跃迁无需声子,光电子性能更优。而Si的能带结构不满足这一条件。
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历史与技术背景
自1950年代以来,Si凭借低成本和成熟工艺成为主流半导体材料,但其物理特性限制了在光电子领域的应用。
Si的带隙类型及应用场景均符合间接带隙半导体的定义。