海思半导体目前通过自主创新和技术突破，已实现7纳米芯片量产，并借助3D堆叠等黑科技将14纳米芯片性能提升至等效5纳米水平，同时完成3纳米工艺验证，正逐步突破高端制程限制。

1. 7纳米工艺成熟应用
   海思麒麟990等芯片采用7纳米制程，性能和功耗表现优异，广泛应用于智能手机等终端设备。这一工艺曾代表行业顶尖水平，为华为旗舰机型提供核心支持。

2. 创新技术实现性能跃升
   通过“鲲鹏矩阵”芯片组的3D堆叠技术，海思将14纳米芯片晶体管密度提升300%，性能媲美5纳米工艺。多次曝光等专利技术也在麒麟9100芯片中实现等效4纳米效果，降低对先进制程的依赖。

3. 3纳米工艺验证完成
   海思已成功流片测试3纳米设计，标志其进入全球最尖端制程研发梯队。尽管量产仍需突破光刻机等设备限制，但技术储备为未来国产化打下基础。

从7纳米量产到3纳米验证，海思正以“技术+创新”双轮驱动，逐步打破高端芯片制程壁垒，展现中国半导体产业的突围潜力。