中国目前尚未实现3纳米芯片的量产能力,但在先进制程研发上取得重大突破。中芯国际等企业已具备7纳米工艺风险试产能力,3纳米技术仍处于实验室验证阶段。以下是关键进展与分析:
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技术突破点
- 完成3纳米晶体管结构设计验证,攻克极紫外光刻(EUV)关键技术
- 实现小规模测试芯片流片,良品率提升至工程验证水平
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产业链现状
- 国产光刻机可支持7纳米制程,3纳米仍需进口核心设备
- 封装测试环节达到国际水平,弥补前道工艺不足
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量产时间表
- 预计2026年完成3纳米工艺认证
- 2027-2028年有望实现小批量生产
当前应重点关注国产替代进度与设备自主化率提升,技术突破需转化为实际产能才具产业意义。