​​华为自研芯片目前主要采用7纳米和5纳米制程工艺，并通过多重曝光技术突破封锁实现性能飞跃。​​其中，7纳米工艺已用于昇腾AI芯片和部分麒麟处理器，而5纳米工艺正与中芯国际合作量产，计划应用于下一代昇腾920和麒麟9100芯片。尽管面临EUV光刻机限制，华为通过设计优化和国产设备协同，在性能与能效上达到国际竞争水平。

华为的7纳米技术依托DUV光刻机与多重曝光工艺，结合国产设备替代进口，实现自主生产。深圳观澜区的半导体基地将直接生产7纳米芯片，用于智能手机和AI处理器。这一制程虽非行业最尖端，但通过架构创新（如达芬奇核心、Chiplet封装）使昇腾910C算力达780TFlops，接近英伟达4纳米芯片性能。

5纳米工艺的突破更显技术韧性。中芯国际采用DUV设备与自对准四重成像技术，良率提升至33%，成本虽高但确保供应链安全。华为通过算法优化和专利技术（如4次曝光），在麒麟9100上实现等效4纳米性能，图形处理与能效比媲美国际竞品。

设计能力是华为制程劣势下的核心优势。超线程调度、混合精度计算等创新，将国产7纳米芯片性能提升2.5倍。系统级协同（如鸿蒙优化、MindSpore框架）进一步弥补硬件差距，形成“软件定义硬件”的独特路径。

未来，华为将继续推进3D封装、存算一体等后摩尔定律技术，同时加速国产设备研发。尽管5纳米以下工艺受EUV限制，但通过场景深耕与产业链整合，华为正重塑全球半导体竞争格局。对于普通用户，制程数字并非唯一标准，实际体验更取决于芯片设计与生态协同——这正是华为“用落后工艺造顶尖芯片”的启示。