上海微电子在7纳米光刻机技术方面取得重大进展，主要体现在专利突破、技术自主化及产业链协同等方面，具体进展如下：

1. 专利技术突破

   2024年9月，上海微电子公开了“极紫外辐射发生装置及光刻设备”发明专利，核心团队针对极紫外光刻技术中的带电粒子污染问题，提出通过电场、化学反应和惰性气体组合的解决方案，显著提升了收集器镜的寿命和稳定性。

2. 绕过西方专利壁垒

   该专利技术成功规避了国外技术封锁，为国内光刻机发展开辟了独立路径，标志着中国不再依赖EUV光刻机技术，向自主化制程迈进。

3. 产业链协同推进

   上海微电子与供应商（如光学器件制造商）紧密合作，其研发的精密光学透镜已应用于国产光刻机，覆盖深紫外DUV波段，为整机性能提升提供关键支撑。

4. 技术成熟度与市场验证

   尽管专利技术已获批，但光刻系统整机性能仍需多子系统协同优化。目前，中芯国际已通过自主研发的图形处理算法和多重曝光技术实现5nm芯片量产，初期良品率达35%，为7nm技术积累经验。

总结 ：上海微电子在7nm光刻机光源技术上取得突破，结合产业链协同与自主研发能力，逐步缩小与国际先进水平的差距，为国产芯片制造提供重要支撑。