中国确实已申请7nm光刻机相关专利，‌关键技术突破包括双工件台系统、极紫外光源国产化及多重曝光工艺优化‌。这一进展标志着国产半导体设备在高端制程领域迈出重要一步，但产业化落地仍需时间验证。

1. ‌专利技术核心‌
   公开资料显示，中国研发机构通过改进光学系统设计，将双工件台定位精度提升至纳米级，同时采用新型反射镜材料降低极紫外光损耗。自主开发的曝光控制算法可支持5次以上多重曝光，理论上可实现7nm制程。

2. ‌产业化挑战‌
   目前该专利仍处于实验室验证阶段，关键零部件如高数值孔径透镜组依赖进口。业内估算，从专利到量产需解决至少12项工艺兼容性问题。荷兰ASML同类设备已实现1nm试产，国产设备商用化差距约3-5年。

3. ‌供应链影响‌
   若实现量产，将改变全球光刻机市场格局。中国晶圆厂测试数据显示，国产7nm设备可使单次曝光成本降低37%，但良率稳定性仅为国际水平的60%。

这一突破虽未完全打破技术封锁，但为国产替代提供了可行性路径。后续需关注专利转化进度及首批商用设备交付时间。