​​在杂质半导体中，多数载流子（多子）的数量主要由掺杂浓度决定，与温度几乎无关​​。​​N型半导体的多子是自由电子，P型半导体的多子是空穴​​，两者浓度通常比少子高多个数量级，例如典型硅二极管中多子浓度可达$10^{16}{\text{cm}}^{-3}$，而少子仅$10^4{\text{cm}}^{-3}$。​​掺杂浓度越高，多子数量越多，导电性越强​​。

1. ​​N型半导体多子特性​​：掺入五价元素（如磷）后，每个杂质原子提供一个自由电子，多子浓度近似等于施主杂质浓度$N_d$。自由电子作为主导载流子，其数量远超标称激发产生的空穴（少子），形成“电子型”导电。

2. ​​P型半导体多子特性​​：掺入三价元素（如硼）时，每个杂质原子产生一个空穴，多子浓度等于受主杂质浓度$N_a$。空穴成为主要载流子，自由电子（少子）浓度极低，导电以空穴迁移为主。

3. ​​多子与导电性能的关系​​：多子浓度直接决定半导体的电阻率。例如，N型半导体掺杂后电阻率可降至约$1\Omega \cdot \text{cm}$，且多子浓度越高，导电能力越强。这一特性被广泛应用于可控导电器件设计。

4. ​​电中性原则​​：尽管多子数量巨大，杂质半导体整体仍保持电中性。N型半导体中自由电子的负电荷被施主离子的正电荷抵消；P型半导体中空穴的正电荷与受主离子的负电荷平衡。

​​总结​​：杂质半导体的多子数量是可控导电的核心参数，通过精确调控掺杂浓度即可实现特定导电需求。这一原理为现代电子器件（如二极管、晶体管）奠定了物理基础。