​​在N型半导体中，电子是多数载流子（多子），空穴是少数载流子（少子）。​​这一特性源于掺杂五价元素（如磷、砷）后，杂质原子释放的自由电子远超过本征激发产生的空穴，形成以电子为主导的导电机制，而空穴浓度极低且受温度影响显著。

1. ​​多子与少子的形成机制​​
   N型半导体的多子（电子）主要由掺杂的五价元素提供。例如，磷原子取代硅原子后，其多余的价电子易挣脱束缚成为自由电子，显著增加电子浓度。电子与空穴复合概率增大，导致空穴浓度远低于本征半导体，成为少子。少子浓度主要依赖本征激发，因此对温度变化敏感。

2. ​​导电特性与电中性平衡​​
   N型半导体的导电性主要由电子贡献，其浓度近似等于掺杂浓度，稳定性高。尽管电子占多数，但半导体整体仍保持电中性——带负电的电子与带正电的离化施主杂质及少量空穴电荷相互抵消。

3. ​​温度对少子的影响​​
   少子（空穴）浓度随温度升高呈指数增长，因其依赖本征激发。这一特性使得依赖少子工作的器件（如二极管、晶体管）性能易受温度干扰，需在设计时重点考虑散热与稳定性。

4. ​​应用中的关键作用​​
   多子的高浓度赋予N型半导体低电阻特性，广泛应用于集成电路的导电层；而少子的可控性则用于PN结、光电器件等，通过调控非平衡少子实现信号放大或光电转换。

理解N型半导体的多子与少子分布，是掌握半导体器件工作原理的基础。实际应用中需平衡掺杂浓度与温度效应，以优化器件性能。