在半导体制造中，硅片主要分为p型和n型，两者的核心区别在于导电机制和掺杂元素：p型硅片通过掺入硼等三价元素形成空穴导电，而n型硅片掺入磷等五价元素实现电子导电。n型硅片因少子寿命长、效率高，正逐步成为光伏和高端芯片的主流选择。

1. 导电机制差异

• p型硅片：掺入硼（三价元素），硅原子被取代后形成“空穴”，表现为正电荷导电。
• n型硅片：掺入磷（五价元素），多余电子成为自由载流子，负电荷主导导电。

2. 性能与应用对比

• p型：工艺简单、成本低，早期广泛用于太阳能电池和普通半导体器件，但效率上限较低。
• n型：少子寿命更长、电阻率更均匀，适合高效光伏电池（如TOPCon、HJT）和精密集成电路，但制造复杂度高。

3. 行业趋势

随着光伏技术迭代，n型硅片凭借更高的转换效率（24%以上）和稳定性，正快速替代p型成为市场主流，尤其在大尺寸（300mm）晶圆和高端芯片领域。

未来，半导体技术将更依赖n型硅片的性能优势，但p型仍在中低端市场保有成本竞争力。选择时需权衡效率需求与生产成本。