半导体硅片与光伏硅片的核心区别体现在用途、纯度要求、生产工艺及应用领域等方面，具体如下：

一、用途差异

• 半导体硅片 ：用于制造电子器件，如集成电路、晶体管、传感器等，需高精度电学特性。

• 光伏硅片 ：用于太阳能电池板，将太阳能转化为电能，侧重光电转换效率。

二、纯度要求

• 半导体硅片 ：纯度极高，通常需达到99.999999999%（11N）以上，确保电学性能稳定。

• 光伏硅片 ：纯度要求较低，一般为99.999%（5N）至99.9999%（6N），满足基本光学特性即可。

三、生产工艺复杂度

• 半导体硅片 ：需多级微影、刻蚀、离子注入等复杂工艺，单晶生长是核心技术，对设备精度和操作要求极高。

• 光伏硅片 ：工艺相对简单，主要通过研磨、抛光提升光学性能，单晶与多晶材料均可使用。

四、晶体结构与厚度

• 半导体硅片 ：多为单晶结构，厚度薄（几微米至几百微米），利于微纳加工。

• 光伏硅片 ：单晶与多晶混合使用，厚度较厚（几百微米至几毫米），需更大表面积提升发电效率。

五、应用占比

• 光伏硅片全球多晶硅消费占比约98%，半导体硅片仅占2%。

总结 ：两者虽同源硅材料，但半导体侧重高精度电子制造，光伏侧重高效能源转换，技术路径和应用场景差异显著。