半导体晶圆缺陷检测是确保芯片良率的核心环节，通过光学、电子束、X射线等高精度技术识别表面与内部缺陷，直接影响半导体制造的效率与成本。
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光学检测：利用高分辨率显微镜快速扫描晶圆表面，适用于大规模生产。明场与暗场照明技术可分别检测反射光与散射光，结合干涉测量技术（如斐索干涉仪）分析形貌变化，覆盖非图案化与图案化晶圆的缺陷检测。
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电子束检测：通过电子束扫描实现纳米级分辨率，能捕捉微小颗粒或裂纹，但速度慢、成本高，多用于研发环节。
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X射线检测：穿透晶圆内部，识别三维结构与隐藏缺陷，但设备昂贵且存在辐射风险。
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原子力显微镜（AFM）：提供原子级表面形貌数据，适合研究级需求，但对样品表面条件要求严格。
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智能算法辅助：现代检测结合AI与图像处理技术，如自动光学检测（AOI）系统，通过卷积核滤波（如垂直/水平方向滤波）快速定位划痕、断裂等缺陷，减少人工漏检。
提升检测效率需综合多种技术，未来趋势是更高精度、自动化与智能化，以应对半导体工艺的微缩化挑战。
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