中国目前能够量产的芯片制程为​​14纳米​​，并已实现​​7纳米工艺的小规模试产​​，同时通过3D封装技术实现等效5纳米性能。​​成熟制程（28纳米及以上）​​占据全球28%产能，14纳米良品率接近国际龙头水平，而5纳米及以下工艺仍在研发突破中。

• ​​成熟制程优势显著​​：28纳米及以上工艺已形成规模化量产能力，广泛应用于消费电子、汽车芯片等领域，成本竞争力全球领先。例如，中芯国际的28纳米芯片良品率稳定，产能持续扩张。
• ​​14纳米实现量产突破​​：14纳米工艺良品率达90%-95%，应用于5G通信、物联网等中高端领域，标志着国产芯片进入黄金发展期。
• ​​7纳米工艺的挑战与进展​​：受限于EUV光刻设备，7纳米量产仍面临良品率与成本问题，但通过DUV多重曝光等技术已实现小规模试产，部分性能接近国际水平。
• ​​先进制程的替代路径​​：3D封装技术将14纳米芯片性能提升至等效5纳米，绕开传统制程限制，为高性能计算提供新方案。
• ​​未来目标明确​​：中芯国际计划2025年量产等效5纳米芯片，国产光刻机、刻蚀机等设备逐步突破，产业链协同加速技术迭代。

中国芯片代工正从“追赶”转向“局部领先”，成熟制程稳居全球第一梯队，先进制程通过技术创新逐步缩小差距。未来需持续投入研发，突破设备与材料瓶颈，实现全产业链自主可控。