半导体掺杂是改变半导体材料导电性能的重要工艺，常用的掺杂元素包括硼（B）、磷（P）、砷（As）和锑（Sb）等。

1. 硼（B）

硼是一种重要的P型掺杂剂，当掺入硅（Si）等IV族半导体材料时，会接受电子，形成空穴载流子，从而提升半导体的导电性。硼的掺杂浓度较低，适用于精确控制掺杂水平的场景。

2. 磷（P）

磷是一种常用的N型掺杂剂，它能够向半导体中提供额外的电子，增加自由电子浓度，使材料表现出N型导电特性。磷掺杂在高温扩散和离子注入工艺中应用广泛。

3. 砷（As）

砷与磷类似，也是一种N型掺杂剂，常用于需要较高掺杂浓度的场合。砷掺杂能够显著提高半导体的导电性能，适用于功率器件和高速器件的制造。

4. 锑（Sb）

锑是一种N型掺杂剂，常用于要求更高导电性能的半导体器件中。锑掺杂可以进一步提升载流子浓度，适用于高频、大功率器件。

总结

硼、磷、砷和锑是半导体掺杂中最常用的元素，分别用于形成P型和N型半导体。通过选择合适的掺杂元素和工艺，可以精确控制半导体的导电性能，满足不同应用的需求。