‌P型半导体的核心制备方法包括掺杂法（如硼掺杂硅）、外延生长法（如MOCVD）和离子注入法，其中掺杂法因成本低、工艺成熟成为主流技术。‌ 通过引入受主杂质（如Ⅲ族元素），使材料形成空穴导电特性，广泛应用于太阳能电池、集成电路等领域。

主要制备方法

1. ‌掺杂法‌

   • ‌热扩散法‌：将硅片置于高温（800~1200℃）含硼气体中，硼原子扩散至晶格间隙。
   • ‌合金法‌：熔融半导体材料（如硅）与受主杂质（如铝）混合后冷却结晶。

2. ‌外延生长法‌

   • ‌气相外延（VPE）‌：通过化学气相沉积在衬底上生长P型薄膜，控制PH₃气体浓度调节空穴浓度。
   • ‌分子束外延（MBE）‌：超高真空环境下精确喷射镓、铟等元素，实现原子级厚度控制。

3. ‌离子注入法‌

   • 高能离子束（如硼离子）轰击半导体表面，注入深度可通过能量调节（10~200keV），需后续退火修复晶格损伤。

总结

P型半导体制备需平衡电导率与晶格完整性，掺杂法适合量产，外延法适用于高频器件，离子注入则用于高精度需求。未来趋势是低温工艺与纳米级掺杂技术的结合。