半导体行业晶圆制造工艺流程主要包括以下核心步骤，分为前道工序和关键加工阶段：

一、前道工序（晶圆加工）

1. 原材料准备

   以高纯度硅砂为原料，通过化学气相沉积（CVD）或提拉法提纯，形成电子级单晶硅锭。

2. 锭切割与薄片制备

   将硅锭切割成薄片（直径通常为12-18英寸），表面标记加工方向，形成裸片。

3. 表面处理

   • 氧化 ：在晶圆表面形成保护膜，防止杂质侵入。

   • 抛光 ：通过化学机械抛光（CMP）使表面光洁度达到纳米级。

   • 清洗 ：去除残留杂质和污染物。

二、核心加工阶段

1. 光刻与刻蚀

   • 光刻 ：通过掩模版将电路图形转移到晶圆表面。

   • 刻蚀 ：利用化学或物理方法去除不需要的材料，形成晶体管、线路等结构。

2. 薄膜沉积与掺杂

   通过物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）或离子注入技术，形成绝缘层、导电层及掺杂层，实现电子功能定制。

三、后道工序衔接

• 晶圆测试 ：对切割后的芯片进行针头测试、功能验证等，筛选合格品。

• 封装准备 ：合格芯片进入后道工序，包括键合、灌封等步骤。

总结 ：晶圆制造是半导体生产的核心环节，涉及高纯材料处理、精密光刻刻蚀及薄膜沉积技术，其复杂性和技术门槛是行业竞争的关键。