半导体工艺流程包括晶圆加工、氧化、光刻、刻蚀、薄膜沉积、互连、测试和封装八大步骤。这些步骤共同确保了半导体产品的精确制造和高质量性能。

晶圆加工

从硅砂中提取高纯度硅，经过熔融、拉晶和切片，制成硅晶圆，为后续工艺提供基础。

氧化

通过热氧化工艺在晶圆表面形成氧化层，以保护电路并隔离不同元件。

光刻

利用光刻技术，通过涂胶、曝光和显影，在晶圆上绘制精细的电路图案。

刻蚀

通过干法或湿法刻蚀去除不需要的硅材料，精确形成电路图形。

薄膜沉积

通过物理或化学方法在晶圆表面沉积导电、绝缘或半导体薄膜，为电路提供功能层。

互连

利用金属线将不同电路连接起来，实现芯片内部的功能协同。

测试

在封装前，对晶圆上的芯片进行功能测试，确保其性能符合设计要求。

封装

将合格的芯片封装在保护壳内，防止外界损害，并连接外部电路。

通过以上流程，半导体制造实现了从原材料到高性能芯片的完整转化，为电子设备的运行提供了核心支持。