65纳米

中国自主研发的光刻机技术水平已取得显著进展，主要成果如下：

1. 65纳米干式光刻机

   2023年9月，工信部宣布中国自主研发的65纳米干式光刻机实现所有子部件国产化，标志着在高端光刻机领域取得重大突破。

2. 193纳米ArF光刻机

   2019年，中国电子科技集团有限公司（CETC）研发的“KLAVIO”光刻机采用ArF光源技术，实现193纳米制程芯片制造，分辨率低于65纳米，重叠精度低于8纳米。

3. 248纳米波段光刻机

   2025年4月，中国推出新一代DUV光刻机，工作在248纳米波长，分辨率达110纳米，重叠精度25纳米，属于自主知识产权技术。

4. 技术路线突破

   2024年12月，哈工大团队研发的超分辨率光刻机通过365nm波长实现22纳米工艺制程，并可通过多重曝光实现10nm以下制程，展现了技术潜力。

总结 ：中国已实现65纳米、193纳米、248纳米等不同制程光刻机的自主研发，其中65纳米和193纳米为当前主流成果，248纳米及以下技术路线为新兴突破方向。