​​中国已具备自主制造光刻机的能力，并在中低端市场实现量产突破，但高端EUV光刻技术仍依赖进口。​​目前，国产光刻机已成功研发90纳米至28纳米制程设备，​​上海微电子​​的28nm沉浸式光刻机进入商业化阶段，​​科益虹源​​的193nm ArF光源技术填补国内空白。全球EUV光刻机市场被ASML垄断（份额超95%），国产7nm以下工艺仍需技术攻坚。

1. ​​技术突破与量产进展​​
   国产光刻机在中低端领域已形成竞争力：上海微电子交付的90nm光刻机应用于国内晶圆厂，28nm设备通过客户端验证；科益虹源研发的60W ArF光源寿命达1亿次脉冲，支撑国产光刻机核心部件自主化。中科院与长春光机所联合开发的EUV光学系统原型机波像差控制至0.8nm，为未来高端突破奠定基础。

2. ​​产业链协同与政策支持​​
   中国通过“光源-光学-机械-整机”全链条创新联合体（如科益虹源、华卓精科、上海微电子）推动关键部件国产化率从31%提升至82%。国家集成电路产业基金三期注资2000亿元，加速技术研发。中芯国际、长江存储等企业采购国产设备，带动国内光刻机市场份额从3%增至41%（2025年数据）。

3. ​​高端挑战与国际差距​​
   尽管国产DUV光刻机分辨率达65nm，但EUV光刻机仍面临技术壁垒。ASML的EUV设备垄断全球市场，其1nm工艺技术领先国产代差约10年。国内需突破极紫外光源、高精度物镜等核心技术，预计2026年才可能实现EUV原型机试产。

​​总结​​：中国光刻机产业正从“单点突破”迈向“系统创新”，中低端设备已实现进口替代，但高端领域需持续投入研发与人才培养。未来5年，国产光刻机的技术迭代与市场渗透率将成半导体自主化的关键指标。