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中国目前确实拥有自主研发的光刻机，但整体技术水平与全球顶尖水平仍存在差距。以下是综合多个权威来源的详细说明：

一、技术突破与阶段性成果

1. 28nm工艺能力

   上海微电子（SMEE）的600系列光刻机已实现90nm工艺量产，并在28nm工艺上取得进展，这是中国光刻机技术的重要突破。

2. 氟化氩（ArF）光刻机

   中国突破了ArF光刻机核心技术，这是从28nm迈向更先进制程的关键一步，标志着国产光刻机在光源技术上的自主化。

3. 65nm技术突破

   2024年11月，中国宣布自主研发65nm光刻机，进一步缩小与国际顶尖水平的差距，打破ASML技术垄断。

二、产业链自主性提升

• 上游材料与设备 ：中科院光电技术研究所成功研制出22nm超分辨率光刻装备，提升国产光刻机性能。

• 产业链协同 ：华为等企业通过“先进光刻+其他技术组合”，增强产业链自主性。

三、与国际顶尖水平的差距

• 分辨率与精度 ：国产光刻机在分辨率和精度上仍低于ASML的EUV技术，无法满足高端芯片制造需求。

• 市场应用 ：目前国产光刻机主要应用于中端芯片制造，高端产品仍依赖进口。

四、政策与未来展望

• 政策支持 ：工信部将光刻机列为重大技术装备，推动自主研发与产业化。

• 技术路线 ：未来中国将继续攻关极紫外光（EUV）等前沿技术，努力实现全面技术追赶。

中国已具备中端光刻机自主研发能力，但在高端领域仍需持续攻关。这一进展标志着中国半导体产业在自主化道路上迈出重要步伐，但全面实现技术突破仍需时间。