28nm量产，90nm突破

中国自主研发光刻机取得显著进展，当前技术水平与产业布局可总结如下：

一、技术突破与产品能力

1. 28nm光刻机量产

   上海微电子装备（集团）股份有限公司（SMEE）的SSX600系列光刻机已实现8英寸线或12英寸线大规模工业量产，单次曝光能力提升至28nm工艺节点，套刻精度小于8nm，满足中端芯片制造需求。

2. 90nm至28nm技术成熟

   • DUV光源技术取得突破，国产设备可稳定支持90nm至28nm工艺，分辨率达65nm，套刻精度≤8nm。

   • 光学系统方面，国产投影物镜误差精度控制在几十纳米，集成能力逐步提升。

3. 极紫外（EUV）技术探索

   哈尔滨工业大学成功研发13.5nm极紫外光源，填补国内该领域空白，为未来EUV光刻机研发奠定基础。但整体技术仍需突破商业化应用门槛。

二、产业链自主化进展

• 核心部件国产化率 ：国产光刻机90%以上零部件实现自主化，部分高端材料（如光学镜片）通过合作引入，降低对外依赖。

• 产业链协同 ：中芯国际等企业联合国内外力量攻关，推动光刻机产业链上下游协同发展。

三、市场应用与产业影响

• 国产化替代 ：28nm光刻机实现量产，助力汽车、家电、5G基站等领域的芯片自主供应。

• 政策支持 ：中国政府通过资金、税收等政策推动半导体产业升级，2022-2023年光刻机市场规模达147.82亿元，年复合增长率显著。

四、国际竞争与挑战

• 技术差距 ：目前仍无法实现5nm及以下制程的EUV光刻机，与国际巨头ASML存在技术代差。

• 外部压力 ：美国、荷兰等政府通过技术封锁、市场限制等手段施压，但国产化进展缓解了部分依赖风险。

总结

中国光刻机在28nm至90nm领域取得突破，形成一定规模量产能力，但高端技术仍需持续攻关。未来需依托政策支持、企业创新和产业链协同，逐步缩小与国际顶尖水平的差距。