中国自主光刻机已实现‌28纳米工艺量产‌，并突破‌多重曝光技术‌向14纳米迈进，但在‌极紫外（EUV）领域‌仍与国际顶尖水平存在代差。核心部件如‌光学系统‌和‌高精度工件台‌的国产化率超80%，但部分高端镜头和激光源依赖进口。

1. ‌技术节点突破‌

   • 上海微电子（SMEE）的SSA800系列可稳定生产28纳米芯片，通过双重曝光可实现14纳米制程，良品率约70%
   • EUV研发处于工程样机阶段，光源功率仅达50瓦（ASML现为250瓦）

2. ‌核心部件进展‌

   • 长春光机所研制出NA0.33物镜系统，清华大学工件台定位精度达1.5纳米
   • 科益虹源ArF激光器量产，但EUV锡滴靶材仍需进口

3. ‌产业链协同‌

   • 中芯国际、华为等企业联合验证国产设备，28纳米产线设备国产化成本降低40%
   • 政府专项基金推动产学研合作，2024年光刻机相关专利增长62%

当前需聚焦‌EUV光源稳定性‌和‌缺陷检测技术‌攻关，预计2028年完成首台EVC原型机。