​​半导体设备的核心材料以高纯度金属、硅基化合物和特种树脂为主，其中贵金属（如铜、钴、钌）和硅晶圆占比超90%，关键特性包括高导电性、耐高温性及纳米级加工精度。​​

1. ​​金属材料​​：贵金属和过渡金属是半导体制造的关键，例如铜用于互连层降低电阻，钴替代钨提升电子迁移率，钌和铑则被研发用于下一代先进制程。金属栅极材料（如氮化钛、钽）和阻挡层（如钛/氮化钛）确保晶体管结构的稳定性。

2. ​​硅基材料​​：单晶硅是晶圆的基础材料，而硅化合物（如碳化硅、氮化镓）用于高频、高压器件。二维半导体材料（如二硫化钼）因原子级厚度成为突破2nm制程的潜力选项。

3. ​​特种树脂​​：封装环节依赖环氧树脂（高绝缘性）、聚酰亚胺（耐250℃高温）和硅树脂（低应力），用于保护芯片并缓解热膨胀差异。光刻胶则需具备亚微米级分辨率以支持精细电路图案。

4. ​​新兴材料​​：量子效应调控材料（如拓扑绝缘体）和有机半导体（柔性电子）正在研发中，未来可能颠覆传统硅基工艺。

​​提示​​：半导体材料的创新直接推动制程微缩，选择材料时需平衡性能、成本与工艺兼容性。