中国并非造不出半导体芯片，但在高端芯片制造领域仍面临技术瓶颈，目前7nm工艺已实现突破，但良品率和性能与国际顶尖水平仍有差距。

1. 当前技术能力
   中国已具备28nm及以上成熟制程芯片的自主生产能力，良品率达95%。中芯国际通过自主研发的光刻机成功制造7nm芯片，但良品率仅55%，性能约为国际同类产品的70% 。华为麒麟9000系列芯片的研发也证明了中国在高端设计领域的潜力 。

2. 核心瓶颈
   光刻机等关键设备依赖进口，尤其是极紫外（EUV）光刻技术被荷兰、日本企业垄断。尽管原理不复杂，但超高精度要求使国产设备短期内难以替代 。半导体材料、EDA工具等产业链环节仍受制于西方技术封锁。

3. 产业现状与挑战
   过去几年，中国芯片行业经历洗牌，部分企业因技术或资金问题退出，但政策扶持下，头部企业正加速技术攻关。外媒“中国无法造芯片”的论调片面，忽略了中低端芯片的成熟产能和国产替代进展 。

中国半导体产业需正视差距，但“造不出”是伪命题。未来突破需聚焦设备自主研发、产业链协同，以及人才储备的长期投入。