半导体工艺流程复杂且精细，主要包含以下核心步骤，综合多个权威资料整理如下：
一、晶圆制备
- 材料准备与清洗
选择半导体材料（如硅、砷化镓等），通过化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）形成初始薄膜，随后使用超声波或化学清洗去除表面杂质和氧化层。
- 氧化与扩散
在晶圆表面沉积二氧化硅（SiO₂）等保护层，通过扩散工艺将掺杂剂离子（如磷、硼）引入硅层，形成n型或p型半导体。
二、光刻与刻蚀
- 光刻工艺
涂覆光刻胶并使用掩模或光罩，通过紫外线曝光形成图案，再经显影液刻蚀出所需结构（如电路线路、孔洞等）。
- 刻蚀技术
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湿法蚀刻 ：使用化学溶液溶解不需要的材料；
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干法蚀刻 ：通过等离子体或反应气体物理/化学作用移除材料，常用反应包括反应离子蚀刻（RIE）和深反应离子蚀刻（DRIE）。
三、薄膜沉积与修饰
- 原子层沉积（ALD）
通过物理气相沉积技术逐层积累高纯度薄膜（如金属层、绝缘层），常用于精确控制膜层厚度和成分。
- 离子注入与金属化
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离子注入 ：加速掺杂剂离子进入晶圆，改变电子性质；
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金属化 ：在电路结构上沉积金属层（如铝、铜），并通过光刻和蚀刻形成互连线路。
四、质量检测与封装
- 电学与物理测试
使用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）等设备检测晶体结构，通过四探针测试仪评估电学性能。
- 封装与成品测试
将芯片封装在塑料或陶瓷外壳中，保护脆弱结构，并进行最终的功能测试（如信号完整性、可靠性测试）。
补充说明
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工艺流程分类 ：半导体制造分为前段（晶圆处理）和后段（封装测试），前段工艺复杂度更高。
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设备与环境 ：需在无尘室中操作，温度、湿度和洁净度要求严格。
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材料选择 ：根据应用需求选择半导体材料（如硅、砷化镓等），并优化工艺参数。
以上流程需高度自动化和精密控制，单步工艺可能涉及数十道工序，整体制造周期较长。
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