半导体工艺流程可分为 前段工艺 （设计到晶圆制造）和 后段工艺 （封装与测试）两大类，以下是主要步骤的图文详解：

一、前段工艺（晶圆制造）

1. 材料准备

   • 以高纯度单晶硅为基础材料，通过化学提纯和高温熔融法制取多晶硅，再经西门子制程进一步提纯。

2. 晶圆切割与抛光

   • 将单晶硅柱切割成薄片形成晶圆，随后进行表面抛光以获得平整基底。

3. 氧化与薄膜沉积

   • 在晶圆表面生长二氧化硅（SiO₂）薄膜作为绝缘层，再通过物理蒸汽沉积（PVD）或化学气相沉积（CVD）方法沉积金属或绝缘材料。

4. 光刻工艺

   • 使用光掩模和激光曝光技术，在晶圆表面形成精确的电路图案，通过显影步骤保留曝光区域。

5. 刻蚀与掺杂

   • 刻蚀工艺去除不需要的硅材料（湿法/干法），并通过离子注入法掺杂磷、硼等元素形成P区（N区），形成晶体管核心结构。

6. 化学机械平坦化（CMP）

   • 通过化学腐蚀与机械研磨结合，使晶圆表面达到原子级平整度。

二、后段工艺（封装与测试）

1. 晶圆划片与封装

   • 将制造好的晶圆切割成单个芯片，通过引线键合或贴片工艺连接至封装基板。

2. 封装测试

   • 对封装后的芯片进行功能测试（如时序测试、电压测试），确保性能符合设计要求。

三、关键工艺技术

• 光刻精度 ：目前单次曝光可实现5nm以下制程，但整体工艺仍受限于设备精度和材料特性。

• 刻蚀技术 ：干法刻蚀可达极紫外光（EUV）分辨率，提升工艺复杂度。

• 封装形式 ：包括传统封装（如BGA）、系统级封装（SiP）等，满足不同应用需求。

四、工艺流程图解资源

建议参考半导体制造领域的专业图集或工艺流程图解工具，如半导体工艺图集萃、光刻工艺专项资料等，以获取更直观的流程展示。