半导体芯片制造的核心流程包含​​八大关键工艺步骤​​：晶圆加工、氧化、光刻、刻蚀、薄膜沉积、互连、测试和封装。​​每一步骤都需纳米级精度控制​​，直接影响芯片性能与良率，其中光刻技术更是突破7nm制程的关键壁垒。

​​晶圆加工​​是起点，通过硅提纯和单晶生长形成晶圆基板；​​氧化​​则在表面生成二氧化硅绝缘层。​​光刻​​利用紫外光与掩模版将电路图案转移到光刻胶上，精度达头发丝的千分之一。随后的​​刻蚀​​通过化学或物理方法去除多余材料，形成三维结构。​​薄膜沉积​​通过CVD或PVD技术叠加导电或绝缘层，而​​互连​​用金属布线连接晶体管。最终​​测试​​筛选合格芯片，​​封装​​为其提供保护外壳与外部接口。

现代半导体工艺已实现3D堆叠与极紫外光刻（EUV），但​​材料纯度​​（如99.9999999%硅）与​​环境洁净度​​（每立方米微粒≤1颗）仍是核心挑战。未来，碳纳米管与量子点技术可能进一步突破物理极限。

提示：芯片制造需千级净化车间与全球供应链协作，中国正加速攻克光刻机等“卡脖子”环节。